光刻膠的各種物性參數(shù)中，粘度值也是一個非常重要的參數(shù)，它對指導光刻膠的涂膠至為重要，但是我們在閱讀光刻膠的說明文檔中往往會發(fā)現(xiàn)不同廠家使用不同的粘度單位， 比如cP，mPa·S，cst， 這對我們用戶來說對比不同廠家的光刻膠的粘度性質造成了困擾。

光刻膠是一種對光敏感的混合液體，是微電子技術中微細圖形加工的關鍵材料，屬于半導體八大核心材料之一，是繼硅片、電子特氣和光掩模之后的第四大半導體材料。

一、EVG101光刻膠測量簡介

研發(fā)和小規(guī)模生產中的單晶圓光刻膠加工。

EVG101光刻膠處理系統(tǒng)在單室設計上可以滿足研發(fā)工作，與EVG的自動化系統(tǒng)*兼容。EVG101支持zui大300 mm的晶圓，可配置為旋涂或噴涂和顯影。使用EVG先進的OmniSpray涂層技術，在3D結構晶圓上實現(xiàn)光刻膠或聚合物的共形層，用于互連技術。這確保了高粘度光致光刻膠或聚合物的低材料消耗，同時改善了均勻性并防止了擴散。

二、EVG101光刻膠測量技術參數(shù)：

晶圓尺寸：高達300mm（12寸）

支持模式：旋涂/ OmniSpray®/生長

晶圓支撐模式：單臂/雙EE/邊緣/翻動

分配模式：

- 各種分配泵，可覆蓋高達52000cP的各種粘度

- 恒壓分配系統(tǒng)

- EBR / BSR /預濕/碗洗/液體灌注

三、特征：

晶圓尺寸可達300 mm

自動旋涂或噴涂或使用手動晶圓裝載/卸載進行顯影

利用從研究到生產的快速簡便的過程轉換

成熟的模塊化設計和標準化軟件

注射器分配系統(tǒng)，用于利用小的光刻膠體積，包括高粘度光刻膠

占地面積小，同時保持高水平的個人和過程安全性

多用戶概念（無限數(shù)量的用戶帳戶和程序，可分配的訪問權限，不同的用戶界面語言）

選項：

- 采用OmniSpray®涂層技術均勻涂覆晶圓的高表面形貌

- 用于后續(xù)鍵合工藝的蠟和環(huán)氧樹脂涂層

- 旋涂玻璃（SOG）涂層