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在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，晶圓切割是芯片分離的關(guān)鍵工序，其精度與效率直接影響芯片良率與性能。隨著芯片向小型化、高密度集成發(fā)展，晶圓厚度不斷減?。?0μm以下），傳統(tǒng)切割技術(shù)因機(jī)械應(yīng)力與熱損傷問題面臨巨大挑戰(zhàn)。超薄晶圓隱切技術(shù)應(yīng)運(yùn)而生，以其非接觸式、...
單面/雙面掩模對(duì)準(zhǔn)光刻機(jī)支持各種標(biāo)準(zhǔn)光刻工藝，如真空，硬，軟接觸和接近式曝光模式，可選擇背部對(duì)準(zhǔn)方式。此外，該系統(tǒng)還提供其他功能，包括鍵合對(duì)準(zhǔn)和納米壓印光刻（NIL）。EVG610提供快速處理和重新加工，以滿足不斷變化的用戶需求，轉(zhuǎn)換時(shí)間不到幾分鐘。其先進(jìn)的多用戶概念適合初學(xué)者到專家級(jí)各個(gè)階層用戶，非常適合大學(xué)和研發(fā)應(yīng)用。EVG單面/雙面掩模對(duì)準(zhǔn)光刻機(jī)特征：1、晶圓/基片尺寸從零碎片到200毫米/8英寸。2、臺(tái)式或獨(dú)立式帶防振花崗巖臺(tái)面。3、敏捷的處理和轉(zhuǎn)換重新加工。4、分步...
Subnano3D干涉輪廓儀建立在移相干涉測(cè)量(PSI)、白光垂直掃描干涉測(cè)量(VSI)和單色光垂直掃描干涉測(cè)量(CSI)等技術(shù)的基礎(chǔ)上，以其納米級(jí)測(cè)量準(zhǔn)確度和重復(fù)性(穩(wěn)定性)定量地反映出被測(cè)件的表面粗糙度、表面輪廓、臺(tái)階高度、關(guān)鍵部位的尺寸及其形貌特征等。廣泛應(yīng)用于集成電路制造、MEMS、航空航天、精密加工、表面工程技術(shù)、材料、太陽(yáng)能電池技術(shù)等領(lǐng)域。Subnano3D干涉輪廓儀產(chǎn)品優(yōu)點(diǎn)：1、美國(guó)硅谷研發(fā)的核心技術(shù)和系統(tǒng)軟件。2、關(guān)鍵硬件采用美國(guó)、德國(guó)、日本等。3、PI納米移...
HerzTS主動(dòng)隔振臺(tái)介紹：在21世紀(jì)納米技術(shù)(即先進(jìn)的半導(dǎo)體代表相關(guān)的信息技術(shù)，基因療法等生命科學(xué)相關(guān)技術(shù)，原子或分子處理如MEMS和工程技術(shù)等新材料生產(chǎn))，振動(dòng)、噪聲、電磁領(lǐng)域、熱、濕度、干擾等是測(cè)量環(huán)境的抑制因素。在納米技術(shù)中，為了獲得可靠的結(jié)果，使用充氣被動(dòng)隔振臺(tái)無(wú)法隔離低頻振動(dòng)，此時(shí)需要主動(dòng)隔離。主動(dòng)式隔振系統(tǒng)“TS系列”將作為21世紀(jì)納米技術(shù)的隔振技術(shù)基礎(chǔ)。它將有助于發(fā)展目前的技術(shù)和測(cè)量、創(chuàng)新和發(fā)展未知的技術(shù)。HerzTS主動(dòng)隔振臺(tái)特點(diǎn)：1、在全部的6個(gè)自由度范圍...